学电机系毕业，获学士学位。1969年赴美国加州大学伯克利分校留学，1970年获硕士学位。1973年获美国加州大学伯克利分校博士学位。是美国工程科学院院士、中国科学院外籍院士，美国加州大学伯克利分校杰出讲座教授。

　　胡正民是鳍式场效晶体管(FinFET)的发明者，解决了晶体做薄后的漏电问题，并向上发展，使晶片内构从水平变成垂直，从而打破了原来英特尔对全世界宣布的将来半导体的限制，并且在学术领域屡创高峰，在电晶体尺寸及性能研发上屡次创新世界纪录，也为积体电路设计订定出第一个国际标准电晶体模型。

　　2012实验室半导体设备研究所：主要研发半导体生产过程中用到的相关设备，有单晶炉、气相外延炉、分子束外延系统、氧化炉、低压化学气相淀积系统、等离子体增强化学气相淀积系统、磁控溅射台、化学机械抛光机、光刻机、反应离子刻蚀系统、ICP等离子体刻蚀系统、离子注入机、探针测试台、晶片减薄机、晶圆划片机、引线键合机等。这个研究所由林本间负责。

　　石莫要建立完整的半导体产业链，装备产业将是重要环节，其中需要更多的创新，才能引领世界半导体设备的发展，并推动公司的芯片工艺制程和技术跨越式提升。

　　2012实验室电子元器件研究所：主要研发电脑主板上的各种电子元器件，以后还会研发一些其他电子产品的元器件，需要研发的元器件有电阻、电容器、电位器、电子管、晶体管、散热器、机电元件、连接器、半导体分立器件、电声器件、激光器件、电子显示器件、光电器件、传感器、电源、开关、微特电机、电子变压器、继电器、印制电路板、集成电路、各类电路、压电、晶体、石英、印刷电路用基材基板等。这个研究所由卓以何和蔡少堂负责。

　　卓以何，1955年赴美，1960年毕业于美国伊利诺斯大学，1961年、1968年先后获该校硕士、博士学位。美国科学院院士（1985）、美国工程院院士（1985）、美国科学与艺术院院士（1989）、中国科学院外籍院士（1996）。

　　卓以何教授是国际公认的分子束外延、人工微结构材料生长和在新型器件研究领域的奠基人与开拓者。对Ⅲ－V族化合物半导体、金属和绝缘体的异质外延和人工结构的量子阱、超晶格及调制掺杂微结构材料系统地开展了大量先驱性的研究工作。

　　蔡少堂，1959年在菲律宾Mapúa理工学院获得电气工程学士学位，1961年和1964年分别在麻省理工学院和伊利诺伊大学厄巴纳尚佩恩分校获得硕士和博士学位。1964-197

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